Los investigadores de la Universidad de Cambrige han inventado un nuevo tipo de memoria USB, la cual destaca por ser flexible, no volátil, lo cual podría ser utilizado en un futuro para almacenar mayores cantidades de información.
La memoria almacena la información en forma de bits mediante unos transistores construidos a escala nanotecnológica con óxido de zinc. Esta memoria es más lenta que las ya existentes, pero ocupa mucho menos espacio.
La principal ventaja de esta nueva memoria es que se fabrica a temperatura ambiente, por lo que puede introducirse en materiales plásticos flexibles. Por ejemplo, se podría introducir en pantallas flexibles o dentro de teléfonos móviles o tarjetas de crédito.
